～2019

国外特許

  1. 米国特許、”Oriented ferroelectric thin-film element and manufacturing method therefor”, Inventors: Keiichi Nashimoto, Atsushi Masuda, Assignee: Fuji Xerox Co., Ltd., Application No.: 250,702, Filed: 1994.5.27, Foreign Application Priority Data: 1993.5.31 (JP) H5-149871, Patent No.: 5,567,979, Date of Patent: 1996.10.22.
  2. 米国特許、”Oriented ferroelectric thin-film element and manufacturing method therefor”, Inventors: Keiichi Nashimoto, Atsushi Masuda, Assignee: Fuji Xerox Co., Ltd., Application No.: 434,281, Filed: 1995.5.3, Related US Application Data: Division of Ser. No. 250,702, 1994.5.27, Patent No.: 5,567,979, Foreign Application Priority Data: 1993.5.31 (JP) H5-149871, Patent No.: 5,759,265, Date of Patent: 1998.6.2.
  3. 米国特許、”Method for depositing a thin film”, Inventors: Hideki Matsumura, Akira Izumi, Atsushi Masuda, Yasunobu Nashimoto, Yosuke Miyoshi, Shuji Nomura, Kazuo Sakurai, Shouichi Aoshima, Assignees: Hideki Matsumura, NEC Corporation, Anelva Corporation, Application No.: 08/924,304, Filed: 1997.9.5, Foreign Application Prority Data: 1996.9.6 (JP) H8-257675, Patent No.: US6,069,094, Date of Patent: 2000.5.30.
  4. 米国特許、”Method and apparatus for depositing a thin film, and semiconductor device having a semiconductor-insulator junction”, Inventors: Hideki Matsumura, Akira Izumi, Atsushi Masuda, Yasunobu Nashimoto, Yosuke Miyoshi, Shuji Nomura, Kazuo Sakurai, Shouichi Aoshima, Assignees: Hideki Matsumura, NEC Corporation, Anelva Corporation, Application No.: 09/102,665, Filed: 1998.6.23, Related US Application Date: Division of Application No. 08/924,304 (Filed: 1997.9.5), Foreign Application Priority Data: 1996.9.6 (JP) H8-256775, Patent No.: US6,349,669 B1, Date of Patent: 2002.2.26.
  5. 米国特許、”Heating element CVD system”, Inventors: Hideki Matsumura, Atsushi Masuda, Keiji Ishibashi, Masahiko Tanaka, Minoru Karasawa, Assignees: Japan as represented by President of Japan Advanced Institute of Science and Technology, Anelva Corporation, Application No.: 10/130,207, PCT Filed: 2001.9.7, PCT No.: PCT/JP01/07795, 2002.5.14, PCT Publication No.: WO02/25712, PCT Publication Date: 2002.3.28, Prior Publication Data: US2002/0,189,545, Foreign Application Priority Data: 2000.9.14 (JP) 2000-280375, 2001.5.23 (JP) 2001-85326, Patent No.: US6,593,548 B2, Date of Patent: 2003.7.15.
  6. 米国特許、”Method and apparatus for depositing a thin film, and semiconductor device having a semiconductor-insulator junction”, Inventors: Hideki Matsumura, Akira Izumi, Atsushi Masuda, Yasunobu Nashimoto, Yosuke Miyoshi, Shuji Nomura, Kazuo Sakurai, Shouichi Aoshima, Assignees: Hideki Matsumura, NEC Compound Semiconductor Devices, Ltd., Anelva Corporation, Application No.: 10/041,609, Filed: 2002.1.10, Prior Publication Data: US2002/0,086,557, Publication Date: 2002.7.4, Related US Application Data: Division of Application No. 09/102,665, which is a devision of Application No. 08/924,304, Filed: 1997.9.5 (Patent No. US6,069,094), Foreign Application Priority Data: 1996.1.9 (JP) H8-257675, Patent No.: US6,723,664 B2, Date of Patent: 2004.4.20.
  7. 米国特許、”Heating element CVD system and connection structure between heating element and electric power supply mechanism in the heating element CVD system”, Inventors: Keiji Ishibashi, Masahiko Tanaka, Minoru Karasawa, Hideki Sunayama, Kazutaka Yamada, Hideki Matsumura, Atsushi Masuda, Assignee: Anelva Corporation, Applicants: Anelva Corporation, Japan Advanced Institute of Science and Technology, Application No.: 10/673,238, Filed: 2003.9.30, Prior Publication Data: US2004/0,065,260 A1, 2004.4.8, Foreign Application Priority Data: 2002.10.4 (JP) 2002-292402, Patent No.: US7,211,152 B2, Date of Patent: 2007.5.1.
  8. 米国特許、”Hydrogen atom generation source in vacuum treatment apparatus, and hydrogen atom transportation method”, Inventors: Hironobu Umemoto, Atsushi Masuda, Koji Yoneyama, Keiji Ishibashi, Manabu Ikemoto, Assignee: Canon Anelva Corporation, Application No.: 11/816,726, PCT Filed: 2005.7.15, PCT No.: PCT/JP2005/013175, PCT Publication No.: WO2006/087833, PCT Publication Date: 2006.4.24, Prior Publication Data: US2009/0,004,100 A1, 2009.6.1, Foreign Application Priority Data: 2005.2.21 (JP) 2005-044413, Patent No.: US7,771,701 B2, Date of Patent: 2010.8.10.
  9. 米国特許、”End point detection method, end point detection device, and gas phase reaction processing apparatus equipped with end point detection device”, Inventors: Kazuhisa Takao, Hiroshi Ikeda, Hideki Matsumura, Atsushi Masuda, Hironobu Umemoto, Assignees: Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd., Japan Advanced Institute of Science and Technology, Application No.: 11/991,278, PCT Filed: 2006.8.22, PCT No.: PCT/JP2006/316409, PCT Publication No.: WO2007/029488, PCT Publication Date: 2007.3.15, Prior Publication Data: US2009/0,263,911 A1, 2009.10.22, Foreign Application Priority Data: 2005.9.2 (JP) 2005-254382, Patent No.: US7,815,813 B2, Date of Patent: 2010.10.19.
  10. 米国特許、”Solar cell and method of fabricating the same”, Inventors: Masatoshi Takahashi, Hiroyuki Ohtsuka, Hideki Matsumura, Atsushi Masuda, Akira Izumi, Assignee: Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., Application No.: 12/6S6,360, Filed: 2010.1.27, Prior Publication Data: US2010/0,173,447 A1 (Publication Date: 2010.7.8), Related US Application Data: Division of Application No. 10/556,063 (Filed as Application No. PCT/JP2004/004405, 2004.3.29), Foreign Application Priority Data: 2003.5.9 (JP) 2003-131797, Patent No.: US8,030,223, Date of Patent: 2011.10.4. (Related: US2007/0,186,970, Publication Date: 2007.8.16)
  11. 米国特許（出願）、”Method of crystallizing semiconductor film and method of manufacturing display device”, Inventors: Shigeru Sembommatsu, Shuhei Yamamoto, Mitsuru Suginoya, Hideki Matsumura, Atsushi Masuda, Application No.: 11/155,959, Filed: 2005.6.17, Publication No.: US2006/0,009,017, Publication Date: 2006.1.12.
  12. 米国特許（出願）、”Gas phase reaction processing device”, Inventors: Kazuhisa Takao, Hiroshi Ikeda, Hideki Matsumura, Atsushi Masuda, Hironobu Umemoto, Applicant: Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd., Application No.: 11/511,862, Filed 2006.8.29, Publication No.: US2007/0,048,200, Publication Date: 2007.3.1.
  13. 米国特許（出願）、”Electrostatic chuck, thin film manufacturing apparatus having the same, thin film manufacturing method, and substrate surface treatment method”, Inventors: Shigeru Senbonmatsu, Shuhei Yamamoto, Mitsuru Suginoya, Hideki Matsumura, Atsushi Masuda, Application No.: 11/515,650, Filed: 2006.9.5, Publication No.: US2007/0,062,648, Publication Date: 2007.3.22.
  14. 米国特許（出願）、”Transparent electrode substrate for solar cell”, Inventors: Takuya Matsui, Atsushi Masuda, Katsuhiko Katsuma, Seiichirou Hayakawa, Application No.:12/439,355, Filed: 2007.8.31, Publication No.: US2009/0,320,910, Publication Date: 2009.12.31.
  15. 米国特許（出願）、”Appratus and method for manufacturing thin film solar cell, and thin film solar cell”, Inventors: Masashi Kikuchi, Atsushi Masuda, Applicants: ULVAC, Inc., National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Application No.: 13/055,402, Filed: 2009.7.24, Publication No.: US2011/0,126,902, Publication Date: 2011.6.2.
  16. 中国特許、「太陽能電池及其制造方法」、発明人：高橋 正俊、大塚 寛之、松村 英樹、増田 淳、和泉 亮、専利権人：信越化学工業株式会社、申請日2004.3.29、申請号200480012530.2、専利号ZL 200480012530.2、優先権JP131797/2003, 2003.5.9、国際申請PCT/JP2004/004405, 2004.3.29、国際公布WO2004/100273, 日本2004.11.18、併入2005.11.8、授権公告号CN 100530700C、授権公告日2009.8.19.
  17. 中国特許、「薄膜太陽能電池的製造装置和方法以及薄膜太陽能電池」、発明人：菊池 正志、増田 淳、近藤 道雄、専利権人：株式会社アルバック、独立行政法人産業技術総合研究所、申請日2009.7.24、申請号200980128616.4、専利号ZL 200980128616.4、優先権JP2008-192490, 2008.7.25、国際申請PCT/JP2009/063297, 2009.7.24, PCT申請併入2011.1.24、PCT申請的交付WO2010/010956, 2010.1.28、授権公告号CN 102105990 B、授権公告日2013.5.29.
  18. 台湾特許、「薄膜太陽能電池之製造装置及製造方法、以及薄膜太陽能電池」、発明人：菊池 正志、増田 淳、近藤 道雄、専利権人：株式会社アルバック、独立行政法人産業技術総合研究所、申請日2009.7.24、申請案号098124973、優先権：日本2008-192490, 2008.7.25、證書号数TW I481054 B、公告日2015.4.11.
  19. 韓国特許、発明者：高橋 正俊、大塚 寛之、松村 英樹、増田 淳、和泉 亮、特許権者：信越化学工業株式会社、PCT/JP2004/004405, WO04/100273, 2004.11.18, KR10-1058735.
  20. 豪州特許、”Solar cell and process for producing the same”, Inventors: Masatoshi Takahashi, Hideki Matsumura, Hiroyuki Ohtsuka, Atsushi Masuda, Akira Izumi, Applicant: Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., Application No.: 2004237524, Date of Filing: 2004.3.29, WIPO No.: WO04/100273, Priority Data: JP2003-131797, 2003.5.9, Publication Date: 2004.11.18, Application No.: AU 2004237524 B2, Accepted Journal Date: 2009.9.17.

国内特許

  1. 「配向性強誘電体素子」、梨本 恵一、増田 淳、出願人：富士ゼロックス株式会社、特許出願平05-149871、1993.5.31出願、特許公開平06-342920、1994.12.13公開、1996.9.12審査請求、特許第2924574号、特許権者：富士ゼロックス株式会社、1999.5.7登録、1999.7.26発行.
  2. 「薄膜作成方法及び薄膜作成装置並びに半導体-絶縁体構造を有する半導体デバイス」、松村 英樹、和泉 亮、増田 淳、梨本 泰信、三好 陽介、野村 秀二、桜井 和雄、青島 正一、出願人：松村 英樹、日本電気株式会社、アネルバ株式会社、特許出願平8-257675、1996.9.6出願、特許公開平10-83988、1998.3.31公開、2003.8.18審査請求、特許第3737221号、特許権者：松村 英樹、NEC化合物デバイス株式会社、キヤノンアネルバ株式会社、2005.11.4登録、2006.1.18発行.
  3. 「エルビウム添加水素化アモルファスシリコン薄膜の製造方法」、増田 淳、坂井 穣、松村 英樹、出願人：科学技術振興事業団、特許出願平11-263032、1999.9.17出願、特許公開2001-81563、2001.3.27公開.
  4. 「多結晶半導体薄膜の形成方法およびその形成装置およびその多結晶半導体薄膜を用いた太陽電池」、古茂田 学、松村 英樹、増田 淳、亀崎 浩司、出願人：京セラ株式会社、特許出願2000-261642、2000.8.30出願、特許公開2002-75877、2002.3.15公開.
  5. 「成膜装置の内壁堆積物検出方法及び監視装置付き成膜装置」、野崎 喜敬、松村 英樹、増田 淳、和泉 亮、出願人：シグマ光機株式会社、北陸先端科学技術大学院大学長、特許出願2000-266349、2000.9.1出願、特許公開2002-69648、2002.3.8公開.
  6. 「発熱体CVD装置」、松村 英樹、増田 淳、石橋 啓次、田中 雅彦、柄澤 稔、出願人：北陸先端科学技術大学院大学長、アネルバ株式会社、特許出願2002-529825、PCT/JP2001/007795、国際出願日2001.9.7、優先権主張番号：特許出願2000-280375、優先日2000.9.14、優先権主張番号：特許出願2001-85326、優先日2001.3.23、国際公開番号WO2002/025712、国際公開日2002.3.28、発行日2004.1.29、2004.10.27審査請求、特許第3780364号、特許権者：国立大学法人北陸先端科学技術大学院大学、キヤノンアネルバ株式会社、2006.3.17登録、2006.5.31発行.
  7. 「電界放射型電子源の製造方法、電界放射型電子源、平面発光装置、ディスプレイ装置、及び固体真空デバイス」、則兼 哲也、和田 直樹、増田 淳、和泉 亮、出願人：松下電器産業株式会社、特許出願2000-365588、2000.11.30出願、特許公開2002-170487、2002.6.14公開、2007.11.13審査請求、特許第4679713号、特許権者：パナソニック株式会社、2011.2.10登録、2011.4.27発行.
  8. 「混成TFTアレー基板とその製造方法」、坂井 全弘、増田 淳、松村 英樹、出願人：松下電器産業株式会社、北陸先端科学技術大学院大学長、特許出願2000-382104、2000.12.15出願、特許公開2002-185005、2002.6.28公開、2008.2.21補正.
  9. 「多結晶Si膜の形成方法」、古茂田 学、松村 英樹、増田 淳、出願人：京セラ株式会社、北陸先端科学技術大学院大学長、特許出願2001-53312、2001.2.28出願、特許公開2002-261020、2002.9.13公開.
  10. 「化学蒸着方法及び化学蒸着装置」、松村 英樹、増田 淳、石橋 啓次、本田 七美子、出願人：松村 英樹、アネルバ株式会社、特許出願2001-88652、2001.3.26出願、優先権主張番号：特許出願2000-87975、優先日：2000.3.28、特許公開2001-345280、2001.12.14公開.
  11. 「薄膜形成方法」、古茂田 学、松村 英樹、増田 淳、出願人：京セラ株式会社、北陸先端科学技術大学院大学長、特許出願2001-100390、2001.3.30出願、特許公開2002-299259、2002.10.11公開.
  12. 「薄膜製造装置のプロセスモニタリング法及びプロセスモニターを有する薄膜製造装置」、野崎 喜敬、増田 淳、出願人：シグマ光機株式会社、北陸先端科学技術大学院大学長、特許出願2001-192199、2001.6.26出願、特許公開2003-7624、2003.1.10公開.
  13. 「触媒化学気相成長法および触媒化学気相成長装置」、増田 淳、南川 俊治、出願人：北陸先端科学技術大学院大学長、石川県、特許出願2001-236006、2001.8.3出願、特許公開2003-49271、2003.2.21公開.
  14. 「結晶性シリコン膜の作製方法及び太陽電池」、増田 淳、松村 英樹、今森 健策、出願人：北陸先端科学技術大学院大学長、特許出願2001-252393、2001.8.23出願、特許公開2003-68643、2003.3.7公開.
  15. 「曲面形状を有する構造体及びその製造装置、製造方法」、高木 康夫、宮嶋 俊平、佐賀 誠、高田健、松村 英樹、増田 淳、出願人：新日本製鐵株式会社、北陸先端科学技術大学院大学長、特許出願2001-400542、2001.12.28出願、特許公開2003-193235、2003.7.9公開.
  16. 「薄膜光電変換素子およびその製造方法」、古茂田 学、福井 健次、新楽 浩一郎、白間 英樹、千田浩文、松村 英樹、増田 淳、小長井 誠、出願人：京セラ株式会社、特許出願2002-253864、（優先権主張番号：特許出願2001-362161）、2002.8.30出願、（優先日：2001.11.28）、特許公開2003-229587、2003.8.15公開.
  17. 「触媒化学気相成長方法および触媒化学気相成長装置」、増田 淳、名田 直司、出願人；北陸先端科学技術大学院大学長、ソニー株式会社、特許出願2002-274638、2002.9.20出願、特許公開2004-107766、2004.4.8公開.
  18. 「発熱体CVD装置、発熱体CVD装置における発熱体と電力供給機構との間の接続構造」、石橋 啓次、田中 雅彦、柄澤 稔、砂山 英樹、山田 和孝、松村 英樹、増田 淳、出願人：アネルバ株式会社、北陸先端科学技術大学院大学長、特許出願2002-292402、2002.10.4出願、特許公開2004-128322、2004.4.22公開、2005.10.3審査請求、特許第3787816号、特許権者：キヤノンアネルバ株式会社、国立大学法人北陸先端科学技術大学院大学、2006.4.7登録、2006.6.21発行.
  19. 「化学蒸着方法および装置」、齋藤 公彦、松村 英樹、増田 淳、和泉 亮、梅本 宏信、出願人：三井化学株式会社、北陸先端科学技術大学院大学長、特許出願2002-382530、2002.12.27出願、特許公開2004-211160、2004.7.29公開、2005.11.10審査請求、特許第4144697号、特許権者：三井化学株式会社、国立大学法人北陸先端科学技術大学院大学、2008.6.27登録、2008.9.3発行.
  20. 「ガスバリア膜形成方法および装置」、齋藤 公彦、松村 英樹、増田 淳、和泉 亮、出願人：三井化学株式会社、北陸先端科学技術大学院大学長、特許出願2003-004611、2003.1.10出願、特許公開2004-217966、2004.8.5公開.
  21. 「水素原子検出装置及び方法、薄膜デバイス製造装置及び方法並びに水素原子モニタリング方法」、川副 博司、俵山 博匡、野呂 良彦、山下 俊晴、増田 淳、梅本 宏信、森本 隆志、出願人：川副フロンティアテクノロジー株式会社、特許出願2004-88945、2004.3.25出願、特許公開2005-274398、2005.10.6公開、2007.3.19審査請求、特許第4484558号、特許権者：川副フロンティアテクノロジー株式会社、2010.4.2登録、2010.6.16発行.
  22. 「窒化シリコン膜及びその製造方法」、南川 俊治、部家 彰、小泉 彰夫、室井 進、増田 淳、梅本宏信、松村 英樹、仁木 敏一、出願人：株式会社石川製作所、北陸先端科学技術大学院大学長、石川県、独立行政法人科学技術振興機構、仁木 敏一、特許出願2003-85721、2003.3.26出願、特許公開2004-292877、2004.10.21公開、2006.3.6審査請求、特許第4474840号、特許権者：株式会社石川製作所、石川県、独立行政法人科学技術振興機構、仁木 敏一、2010.3.19登録、2010.6.9発行.
  23. 「半導体装置の製造方法および半導体装置の界面安定化処理装置」、松村 英樹、増田 淳、和泉 亮、井上 實、柴田 巌、石原 良夫、岡田 陽子、出願人：北陸先端科学技術大学院大学長、日本酸素株式会社、特許出願2003-111826、2003.4.16出願、特許公開2004-319771、2004.11.11公開.
  24. 「ガスバリア膜形成方法」、齋藤 公彦、松村 英樹、増田 淳、出願人：三井化学株式会社、北陸先端科学技術大学院大学長、特許出願2003-112026、2003.4.16出願、特許公開2004-315899、2004.11.11公開、審査請求2005.11.10、特許第4144705号、特許権者：三井化学株式会社、国立大学法人北陸先端科学技術大学院大学、2008.6.27登録、2008.9.3発行.
  25. 「太陽電池及びその製造方法」、高橋 正俊、大塚 寛之、松村 英樹、増田 淳、和泉 亮、出願人：信越化学工業株式会社、信越半導体株式会社、北陸先端科学技術大学院大学長、特許出願2003-131797、2003.5.9出願、PCT/JP2004/004405、2004.3.29出願、WO2004/100273、2004.11.18国際公開、特許公開2004-335867、2004.11.25公開、審査請求2005.2.22、不服2006-013866、特許第4118187号、特許権者：信越半導体株式会社、信越化学工業株式会社、2008.5.2登録、2008.7.16発行.
  26. 「ラジカル発生方法及びラジカル発生器、薄膜堆積装置」、松村 英樹、増田 淳、出願人：国立大学法人北陸先端科学技術大学院大学、特許出願2004-108016、2004.3.31出願、特許公開2005-294559、2005.10.20公開.
  27. 「半導体膜の結晶化方法、及び、表示装置の製造方法」、千本松 茂、杉野谷 充、山本 修平、松村英樹、増田 淳、出願人：セイコーインスツル株式会社、特許出願2004-201382、2004.7.8出願、特許公開2006-24735、2006.1.26公開.
  28. 「多結晶シリコン系薄膜の形成方法、及び、表示装置の製造方法」、千本松 茂、杉野谷 充、山本 修平、松村 英樹、増田 淳、出願人：セイコーインスツル株式会社、特許出願2004-201383、2004.7.8出願、特許公開2006-24736、2006.1.26公開.
  29. 「多結晶シリコン系薄膜の形成方法、及び、表示装置の製造方法」、千本松 茂、杉野谷 充、山本 修平、松村 英樹、増田 淳、出願人：セイコーインスツル株式会社、特許出願2004-201384、2004.7.8出願、特許公開2006-24737、2006.1.26公開.
  30. 「気相反応処理装置および気相反応処理方法」、石橋 知淳、高尾 和久、松村 英樹、増田 淳、出願人：東京応化工業株式会社、国立大学法人北陸先端科学技術大学院大学、特許出願2004-237366、2004.8.17出願、特許公開2006-59862、2006.3.2公開.
  31. 「薄膜製造装置、及び半導体薄膜の形成方法」、千本松 茂、杉野谷 充、山本 修平、松村 英樹、増田 淳、出願人：セイコーインスツル株式会社、特許出願2005-31304、2005.2.8出願、特許公開2006-219689、2006.8.24公開.
  32. 「光触媒体及びその製造方法、ならびに光触媒体を用いたエネルギー変換素子」、古茂田 学、樋口永、松村 英樹、増田 淳、出願人：京セラ株式会社、特許出願2005-43378、2005.2.21出願、特許公開2006-224043、2006.8.31公開、2007.11.19審査請求、特許第4808976号、特許権者：京セラ株式会社、2011.8.26登録、2011.11.2発行.
  33. 「真空処理装置における水素原子発生源及び水素原子輸送方法」、梅本 宏信、増田 淳、米山 浩司、石橋 啓次、池本 学、出願人：国立大学法人北陸先端科学技術大学院大学、キヤノンアネルバ株式会社、特許出願2005-44413、2005.2.21出願、PCT/JP2005/013175、2005.7.15出願、特許公開2006-229152、2006.8.31公開、国際公開番号WO2006/087833、国際公開日2006.8.24、2007.12.19審査請求、特許第4652841号、特許権者：キヤノンアネルバ株式会社、2010.12.24登録、2011.3.16発行.
  34. 「薄膜形成方法及び薄膜製造装置」、千本松 茂、杉野谷 充、山本 修平、松村 英樹、増田 淳、出願人：セイコーインスツル株式会社、特許出願2005-233996、2005.8.12出願、特許公開2007-49054、2007.2.22公開.
  35. 「薄膜製造方法」、千本松 茂、杉野谷 充、山本 修平、松村 英樹、増田 淳、出願人：セイコーインスツル株式会社、特許出願2005-233997、2005.8.12出願、特許公開2007-46135、2007.2.22公開.
  36. 「気相反応処理装置」、高尾 和久、池田 宏、松村 英樹、増田 淳、梅本 宏信、出願人：東京応化工業株式会社、特許出願2005-251059、2005.8.31出願、特許公開2007-67157、2007.3.15公開.　（米国出願）
  37. 「終点検出方法及び終点検出装置、並びに終点検出装置を備えた気相反応処理装置」、高尾 和久、池田 宏、松村 英樹、増田 淳、梅本 宏信、出願人：東京応化工業株式会社、国立大学法人北陸先端科学技術大学院大学、特許出願2005-254343、2005.9.2出願、特許公開2007-67308、2007.3.15公開.
  38. 「終点検出方法及び終点検出装置、並びに終点検出装置を備えた気相反応処理装置」、高尾 和久、池田 宏、松村 英樹、増田 淳、梅本 宏信、出願人：東京応化工業株式会社、国立大学法人北陸先端科学技術大学院大学、特許出願2005-254382、2005.9.2出願、特許公開2007-67309、2007.3.15公開、2006.8.22出願、出願番号：PCT/JP2006/316409、米国出願USSN 11/991/278、2007.3.15公開、公開番号：WO2007/029488、2008.8.21審査請求、特許第4340727号、特許権者：東京応化工業株式会社、国立大学法人北陸先端科学技術大学院大学、2009.7.17登録、2009.10.7発行.
  39. 「静電チャック、これを備える薄膜製造装置、薄膜製造方法、並びに基板表面処理方法」、千本松 茂、山本 修平、杉野谷 充、松村 英樹、増田 淳、出願人：セイコーインスツル株式会社、国立大学法人北陸先端科学技術大学院大学、特許出願2005-263294、2005.9.12出願、特許公開2007-80898、2007.3.29公開.
  40. 「発熱体CVD装置における発熱体と電力供給機構との間の接続構造」、石橋 啓次、田中 雅彦、柄澤 稔、砂山 英樹、山田 和孝、松村 英樹、増田 淳、出願人：キヤノンアネルバ株式会社、国立大学法人北陸先端科学技術大学院大学、特許出願2005-372665、2005.12.26出願、分割の表示：特許出願2002-292402の分割、原出願日2002.10.4、特許公開2006-135349、2006.5.25公開、審査請求2005.12.27、特許第3887690号、特許権者：キヤノンアネルバ株式会社、国立大学法人北陸先端科学技術大学院大学、2006.12.8登録、2007.2.28発行.
  41. 「粒状シリコンの製造方法及び製造装置」、劉 正新、酒井 一俊、浅井 鎬一、近藤 道雄、増田 淳、出願人：独立行政法人産業技術総合研究所、特許出願2006-116701、2006.4.20出願、PCT/JP2007/058495、2007.4.19出願、特許公開2007-284321、国際公開番号WO2007/123169、国際公開日2007.11.1、審査請求2008.3.27、特許第4800095号、特許権者：独立行政法人産業技術総合研究所、2011.8.12登録、2011.10.26発行.
  42. 「粒状半導体の製造方法及び製造装置」、劉 正新、酒井 一俊、浅井 鎬一、近藤 道雄、増田 淳、出願人：独立行政法人産業技術総合研究所、特許出願2006-156748、2006.6.6出願、特許公開2007-326721、2007.12.20公開、2009.3.13審査請求、特許第4817307号、特許権者：独立行政法人産業技術総合研究所、2011.9.9登録、2011.11.16発行.
  43. 「太陽電池用透明電極基板」、松井 卓矢、増田 淳、勝間 勝彦、早川 誠一郎、出願人：独立行政法人産業技術総合研究所、日本合成化学工業株式会社、特許出願2006-235952、2006.8.31出願、PCT/JP2007/000942、2007.8.31出願、特許出願2007-225864、（優先権主張番号：特許出願2006-235952）、2007.8.31出願（優先日：2006.8.31）、特許公開2008-85323、2008.4.10公開.
  44. 「球状結晶の製造方法及び製造装置」、劉 正新、近藤 道雄、増田 淳、出願人：独立行政法人産業技術総合研究所、特許出願2007-085090、2007.3.28出願、特許公開2008-239438、2008.10.9公開.
  45. 「球状結晶の製造方法及び製造装置」、浅井 鎬一、劉 正新、近藤 道雄、増田 淳、出願人：独立行政法人産業技術総合研究所、特許出願2007-172437、2007.6.29出願、特許公開2009-7228、2009.1.15公開、2009.3.19審査請求、特許第4817329号、特許権者：独立行政法人産業技術総合研究所、2011.9.9登録、2011.11.16発行.
  46. 「プラズマ加工装置及びプラズマ加工方法」、阿部 義紀、山口 充孝、近藤 道雄、増田 淳、出願人：独立行政法人産業技術総合研究所、トーヨーエイテック株式会社、特許出願2007-219842、2007.8.27出願、特許公開2009-54777、2009.3.12公開、2010.5.7審査請求、特許第4897616号、特許権者：トーヨーエイテック株式会社、独立行政法人産業技術総合研究所、2012.1.6登録、2012.3.14発行.
  47. 「プラズマ加工装置及びプラズマ加工方法」、阿部 義紀、山口 充孝、近藤 道雄、増田 淳、出願人：独立行政法人産業技術総合研究所、トーヨーエイテック株式会社、特許出願2007-219843、2007.8.27出願、特許公開2009-54778、2009.3.12公開、2010.5.7審査請求、特許第4897617号、特許権者：トーヨーエイテック株式会社、独立行政法人産業技術総合研究所、2012.1.6登録、2012.3.14発行.
  48. 「プラズマ加工装置及びプラズマ加工方法」、阿部 義紀、山口 充孝、近藤 道雄、増田 淳、出願人：独立行政法人産業技術総合研究所、トーヨーエイテック株式会社、特許出願2007-219844、2007.8.27出願、特許公開2009-54779、2009.3.12公開、2010.5.7審査請求、特許第4975556号、特許権者：トーヨーエイテック株式会社、独立行政法人産業技術総合研究所、2012.4.20登録、2012.7.11発行.
  49. 「半導体デバイスの連続製造方法及びチャンバー」、柄澤 稔、近藤 道雄、増田 淳、出願人：独立行政法人産業技術総合研究所、特許出願2008-228059、2008.9.5出願、優先権主張番号：特許出願2007-310758、2007.11.30出願、特許公開2009-152539、2009.7.9公開.
  50. 「薄膜太陽電池の製造装置、薄膜太陽電池の製造方法、及び薄膜太陽電池」、菊池 正志、近藤 道雄、増田 淳、出願人：株式会社アルバック、独立行政法人産業技術総合研究所、特許出願2008-192490、2008.7.25出願、PCT/JP2009/063297、国際出願日2009.7.24、優先権主張番号：特許出願2008-192490、優先日2008.7.25、国際公開番号WO2010/010956、国際公開日2010.1.28、発行日2012.1.5.
  51. 「太陽電池モジュールの信頼性試験装置、及び太陽電池モジュールの信頼性試験方法」、青木 雄一、岡本 学、土井 卓也、増田 淳、出願人：エスペック株式会社、独立行政法人産業技術総合研究所、特許出願2010-261645、2010.9.14日出願、特許公開2012-114227、2012.6.14公開、2012.7.27審査請求、特許第5414070号、特許権者：エスペック株式会社、独立行政法人産業技術総合研究所、2013.11.22登録、2014.2.12発行.
  52. 「太陽電池モジュール及びその製造方法」、大槻 陽子、加治佐 平、水原 和美、増田 淳、出願人：三菱レイヨン株式会社、独立行政法人産業技術総合研究所、特許出願2011-200648、2011.9.14出願、特許公開2013-62423、2013.4.4公開.
  53. 「可撓性太陽電池モジュール」、小西 正暉、吉田 郵司、増田 淳、人見 美也子、永井 優、出願人：独立行政法人産業技術総合研究所、富士電機株式会社、特許出願2012-159158、2012.7.18出願、特許公開2014-22531、2014.2.3公開.
  54. 「太陽光発電装置、および太陽光発電装置の制御方法」、原 重臣、嘉数 誠、千葉 恭男、増田 淳、出願人：国立大学法人佐賀大学、国立研究開発法人産業技術総合研究所、特許出願2017-139367、2017.7.18出願、特許公開2019-22347、2019.2.7公開.

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